รายงานการวิจัยของบริษัทในญี่ปุ่นเผย ขีดความสามารถชิปจีน ผลิตโดย เอสเอ็มไอซี (SMIC) ตามหลังบริษัทรับจ้างผลิตชิปจากไต้หวันอย่าง ทีเอสเอ็มซี (TSMC) เพียง 3 ปี โดยวิเคราะห์จากชิปในโทรศัพท์หัวเว่ย 2 ตัว คือ Kirin 9010 ในโทรศัพท์รุ่นล่าสุดของปีนี้ และ Kirin 9000 ของโทรศัพท์รุ่นปี 2021 สะท้อนผลกระทบที่จำกัดของมาตรการสกัดชิปจีนโดยสหรัฐ
นิคเคอิ เอเชีย (Nikkei Asia) รายงานเมื่อวันที่ 31 สิงหาคม 2024 ถึงผลการวิเคราะห์เทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ในปัจจุบันของจีนเผยให้เห็นว่า จีนกำลังเข้าใกล้ระดับที่ตามหลังผู้นำอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์หรือชิป อย่างบริษัทไต้หวัน เซมิคอนดักเตอร์ แมนูแฟคเจอริ่ง โค. ซึ่งรับจ้างผลิตชิป ( Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. หรือ TSMC ) เพียง 3 ปี ซึ่งแสดงให้เห็นถึงผลกระทบที่จำกัดต่อจีน จากกรณีที่สหรัฐพยายามที่จะหยุดยั้งการพัฒนาชิปล้ำสมัย
นายฮิโรฮารุ ชิมิซึ (Hiroharu Shimizu) ซีอีโอของ TechanaLye ในกรุงโตเกียว ซึ่งเป็นบริษัทวิจัยเซมิคอนดักเตอร์ที่แยกชิ้นส่วนอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์มาวิเคราะห์ 100 ชิ้นต่อปี โดยนายชิมิซึแสดงแผนภาพวงจรเซมิคอนดักเตอร์สำหรับโปรเซสเซอร์แอปพลิเคชันสองตัว ซึ่งก็คือสมองของสมาร์ทโฟน โดยตัวหนึ่งมาจาก Pura 70 Pro ของหัวเว่ย เทคโนโลยีส์ ( Huawei Technologies) ที่เปิดตัวในเดือนเมษายนที่ผ่านมา และอีกตัวหนึ่งจากสมาร์ทโฟนระดับแนวหน้าของหัวเว่ย ( Huawei) ตั้งแต่ปี 2021
ชิปคิริน 9010 ( Kirin 9010) ซึ่งเป็นชิปโทรศัพท์รุ่นใหม่ล่าสุด ได้รับการออกแบบโดยไฮ ซิลิคอน ( HiSilicon) ซึ่งเป็นบริษัทในเครือของหัวเว่ย และผลิตโดยบริษัทเซมิคอนดักเตอร์ แมนูแฟคเจอริ่ง อินเตอร์เนชั่นแนล คอร์ป (Semiconductor Manufacturing International Corp. หรือ SMIC) ผู้ผลิตชิปรายใหญ่ในจีน มีสำนักงานใหญ่อยู่ในนครเซี่ยงไฮ้ และในส่วนของ ชิปคิริน 9000 ( Kirin 9000) ของโทรศัพท์รุ่นปี 2021 ถูกออกแบบโดยไฮซิลิคอน เช่นกัน แต่ผลิตโดย ทีเอสเอ็มซี ในปริมาณมาก
เอสเอ็มไอซี (SMIC) ซึ่งอยู่ในบัญชีของสหรัฐตามมาตรการปราบปรามเทคโนโลยีชิปขั้นสูงจากจีน แต่ยังสามารถผลิตชิปขนาด 7 นาโนเมตรได้ ส่วน ทีเอสเอ็มซี (TSMC) จัดหาโปรเซสเซอร์ 5 นาโนเมตรให้กับหัวเว่ย สำหรับโทรศัพท์ปี 2021 สะท้อนผลกระทบที่จำกัด จากการใช้มาตรการสกัดความก้าวหน้าของชิปจีน โดยสหรัฐ
นายชิมิซึ อธิบายว่า โดยทั่วไป ยิ่งขนาดนาโนเมตรเล็ก ประสิทธิภาพก็จะยิ่งสูงขึ้นและชิปก็จะยิ่งเล็กลง อย่างไรก็ตาม ชิปขนาด 7 นาโนเมตรที่ผลิตครั้งละจำนวนมาก ของ เอสเอ็มไอซี มีขนาด 118.4 ตารางมิลลิเมตร ในขณะที่ชิป 5 นาโนเมตรของ ทีเอสเอ็มซี มีขนาด 107.8 ตารางมิลลิเมตร แต่ปรากฏว่า ชิปทั้งสองมีพื้นที่และระดับประสิทธิภาพใกล้เคียงกัน
แม้ว่าผลผลิตจะยังคงมีความแตกต่างอยู่ แต่ความสามารถของ เอสเอ็มไอซีก็เข้าใกล้ระดับที่ตามหลัง ทีเอสเอ็มซีอยู่สามปี โดยพิจารณาจากประสิทธิภาพของชิปที่จัดส่งเพียงอย่างเดียว ความสามารถในการออกแบบของไฮซิลิคอน ได้รับการปรับปรุงเช่นกัน ดังที่แสดงได้จากความสามารถในการผลิตชิปที่มีประสิทธิภาพเทียบเท่ากับผลิตภัณฑ์ 5 นาโนเมตรของ ทีเอสเอ็มซี แม้จะมีความกว้างของวงจรที่กว้างกว่าก็ตาม
สมาร์ทโฟนรุ่น Pura 70 Pro ของ หัวเว่ย มาพร้อมกับเซมิคอนดักเตอร์ทั้งหมด 37 ชนิดที่รองรับหน่วยความจำ เซ็นเซอร์ กล้อง แหล่งจ่ายไฟ และฟังก์ชันการแสดงผล ในจำนวนนี้ 14 รายมาจาก ไฮซิลิคอนและอีก 18 รายจากผู้ผลิตจีนอื่นๆ และเพียง 5 รายจากผู้ผลิตจากต่างประเทศ รวมถึงเอสเค ไฮนิกซ์ (SK Hynix) สำหรับหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัตหรือดีแรม ( DRAM) ของเกาหลีใต้ และบ๊อช ( Bosch) ของเยอรมนีสำหรับเซ็นเซอร์ตรวจจับความเคลื่อนไหว ชิปของโทรศัพท์รุ่นนี้ประมาณ 86% ผลิตในจีน
นายชิมิซึกล่าวอีกว่า ในทางปฏิบัติแล้ว เซมิคอนดักเตอร์เพียงชนิดเดียวที่อยู่ภายใต้กฎระเบียบของสหรัฐอเมริกาคือชิปเซิร์ฟเวอร์ที่ล้ำสมัยสำหรับปัญญาประดิษฐ์และแอปพลิเคชันอื่น ๆตราบใดที่ชิปไม่เป็นภัยคุกคามทางทหาร สหรัฐ ก็อาจจะยอมให้มีการพัฒนา”
ทั้งนี้ ผู้เล่นชาวจีนซื้ออุปกรณ์การผลิตชิปทั่วโลก 34.4% ในปี 2023 ซึ่งมากกว่าตัวเลขของเกาหลีใต้และไต้หวันประมาณสองเท่า ตามข้อมูลจากกลุ่มอุตสาหกรรม SEMI ระบุว่าจีนกำลังขยายขีดความสามารถในการผลิตจำนวนมากโดยมุ่งเน้นไปที่อุปกรณ์ที่ไม่ได้ตกเป็นเป้าหมายต้องห้ามของสหรัฐในการส่งออกเทคโนโลยีล้ำสมัย
